Abstract
<jats:p>Аннотация. Исследование посвящено анализу механизмов динамической тензочувствительности компенсированного кремния, легированного примесями Ni, Gd, Au и Mn, в условиях импульсного гидростатического давления. Актуальность работы обусловлена недостаточной изученностью поведения глубоких примесных уровней при совместном воздействии барического и термического факторов в динамических режимах. На основе предоставленных экспериментальных данных построена теоретическая модель, описывающая вклад барического смещения глубоких уровней, термически стимулированной ионизации и релаксационных процессов в изменение концентрации и подвижности носителей тока. Показано, что динамический коэффициент тензочувствительности может в 5–6 раз превышать статический аналог при высоких скоростях нарастания давления ( ). Наблюдаемое плато на зависимостях объясняется полной ионизацией глубоких уровней. Установлено, что снижение начальной температуры образца смещает область насыщения в сторону больших скоростей изменения давления, что связано с уменьшением исходной концентрации носителей и увеличением относительного вклада индуцированных носителей. Результаты работы имеют значение для разработки высокочувствительных датчиков импульсного давления на основе компенсированных полупроводниковых материалов.</jats:p>