Abstract
<jats:p>Аннотация: В работе представлена теоретическая модель, описывающая влияние импульсного гидростатического давления на электропроводность компенсированного кремния, легированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. Модель фокусируется на анализе состояния и степени ионизации глубоких уровней при комбинированном барическом и термическом воздействии. На основе уравнений кинетики ионизации и рекомбинации выводятся выражения, связывающие изменение концентрации носителей заряда с приложенным давлением и индуцированным температурным полем. Теоретически обосновано разделение вкладов статической и динамической тензопроводимости, а также роль релаксационных процессов, обусловленных перераспределением носителей между зоной и локальными уровнями. Показано, что степень компенсации материала является критическим параметром, определяющим амплитуду и временну́ю динамику отклика проводимости. Основным механизмом динамического отклика идентифицирован термоэффект, стимулированный давлением.</jats:p>