Abstract
<jats:p>Аннотация. В работе представлены результаты комплексного исследования динамической тензопроводимости компенсированного кремния, легированного примесями никеля, гадолиния и марганца, формирующими глубокие уровни в запрещённой зоне, при импульсном воздействии всестороннего гидростатического давления (ВГД). Актуальность исследования обусловлена необходимостью понимания механизмов комбинированного тензо-термоэффекта, возникающего в условиях высокоскоростного нагружения, что представляет интерес как для фундаментальной физики полупроводников, так и для разработки новых высокочувствительных датчиков давления. Методология работы основана на анализе экспериментальных данных, полученных при импульсном давлении в диапазоне 0–7·10⁸ Па и температурах 250–320 К, с регистрацией кинетики тока и синхронных изменений температуры образцов. В рамках исследования разработана теоретическая модель, описывающая зависимость плотности тока от давления и температуры через изменение концентрации носителей вследствие ионизации глубоких уровней.</jats:p>