Cостав и электронная структура тонких пленок WO3, осажденных на поверхности Si

<jats:p>Методами фото и электронной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуумаизучены состав и электронная структура пленки вольфрама с поверхностной плёнкой O2.Установлено, что кислород в виде O2 не абсорбирует в приповерхностный слой W. O2 наповерхности W разлагается на составляющие при температуры подложки ≈650 К идиффундирует в приповерхностные слои. При Т ≈ 950 К получены пленки WO4, а при Т≈ 1050−1100 К пленки WO3. Впервые изучены электронная структура поверхностипленок WO3, полученных окислением тонких плёнок W.</jats:p>