Abstract
<jats:p>Пленки Sb2(SxSe1-x)3 исследованы методом сканирующей электронной микроскопиипленок, выращенных при разном давлении пара. Микрокристаллы в пленках равномер-но распределены по поверхности подложки. Морфология поверхности пленок сущест-венно менялась в зависимости от соотношения элементов S/(S+Se) в паровой фазе. Кри-сталлиты, синтезированные при разных соотношениях компонентов S/(S+Se), имелиформу микростержней с диаметром d=0.5−2 мкм и длиной l=3−5 мкм с заметным угломсмещения относительно подложки. Рентгенограммы показали наличие пиков, соответ-ствующих соединениям Sb2Se3 и Sb2S3, а также их твердым растворам. Все твердые рас-творы обладали ромбической структурой. Оптические свойства пленок Sb2(SxSe1-x), по-лученных на стеклянных подложках при температуре подложки 420°C, были изучены спомощью спектрофотометра (UV-5100 UV/Vis). Получены значения энергии запрещен-ной зоны (Eg) для пленок Sb2(SxSe1-x)3, которые составили 1.2, 1.35, 1.5 и 1.65 эВ приразличных значениях S/(S+Se). Изменение энергии запрещенной зоны в пленках связанос изменением соотношения элементов S/(S+Se).</jats:p>