Abstract
<jats:p>В настоящей работе предлагается новый метод определения плотности дефектных со-стояний в аморфных полупроводниках. Показано, если измерена экспериментальнаякривая спектра оптического поглощения аморфного полупроводника, то используя этотспектр, можно определить распределение плотности электронных состояний дефектов.Используя формулу Кубо-Гринвуда, записанного для дефектного поглощения, и экспе-риментальный спектр дефектного поглощения, определены плотности электронных со-стояний дефектов в аморфных полупроводниках.</jats:p>
Show More
Keywords
плотности
состояний
поглощения
аморфных
полупроводниках