Abstract
<jats:p>Жұмыста 77°K температурадағы тасымалдаушылардың концентрациясы 1∙1017-9∙1017 см-3 селен Se ендірілген р-типті галлий антимонидінің кристалдарының фотолюминесценция спектрлері зерттелді. Зерттелетін концентрациялар диапазоны электрондардың азғындау облысына сәйкес келеді. (111) бағытында түсірілген қысыммен өткізгіштік аумақтың Г және L минимумдарының ығысу жылдамдықтарын анықтай отырып, қоспасыз және компенсацияланған р-типті және n-типті селенмен легирленген галлий антимониді кристалдарының фотолюминесценция спектрлеріне бір осьті деформацияның әсерін тәжірибелік зерттеу нәтижелері қарастырылды. Галлий антимонидінің фотолюминесценция спектрлері құрылымдык сипаты қарастырылып, қоспа ендірілу дәрежесін ұлғайтқан сайын сәулелену сызығының максимумы төменгі энергиялар жағына қарай ығысатыны, спектр сызығының кеңейетіні анықталды. Сәулелену сызығының максимумының энергиясы әрқашан тыйым салынған зонаның оптикалық енінен едәуір (80–100 МэВ) кіші болуы сәулелену сызығы электрондардың өткізгіштік зонасынан терең акцепторлық деңгейге ауысуы нәтижесінде пайда болуымен, яғни галлий антимонидінде әркашан да болатын акцептордың екінші ретті иондалған күйіне ауысумен түсіндірілді. Erep n-типті галлий антимонидіне азғындауға дейін қоспа ендірілген болса, онда акцепторлар екі рет теріс зарядталған болып, яғни (Δn, Δр<<n) тепе-теңсіз кемтіктер бір рет теріс зарядталатын акцепторлармен жылдам қамтылады. Демек, тасымалдаушылардың рекомбинациясы кулондық тосқауылдан өткеннен кейін болатындығы сәулелену сызығының пішіні және сәулеленудің максимумының өзгергендігінен көрінеді. Кілтті сөздер: фотолюминесценция, өткізгіштік аумақ, галлий антимониді, бір осьті деформация, деформациялық потенцилдың тұрақтылары.</jats:p>