Abstract
<jats:p>Представлена методика анализа электрофизических характеристик светодиодов (далее СД), изготовленных из различных полупроводниковых материалов группы AIIIBV при воздействии внешних факторов, таких как ионизирующее излучение различных видов, длительная эксплуатация, повышенная температура, электрические поля и т.д.). Данная методика предназначена для определения омического сопротивления СД и индивидуальных коэффициентов пропорциональности, которые позволяют целенаправленно исследовать деградационные процессы в СД. Показано, что на вольт-амперных характеристиках (ВАХ) выделяются характерные области протекания рабочего тока: область низких токов (НТ), область омического сопротивления СД – <jats:italic>R</jats:italic> область, область высоких токов (ВТ). Показано, что сублинейный участок прямой ветви ВАХ прибора с <jats:italic>p-n</jats:italic>-переходом можно экстраполировать линейной зависимостью, наклон которой определяется его омическим сопротивлением. Определены физико-математические соотношения для омического сопротивления СД, изготовленных из любых материалов. Для исследуемых СД на основе материалов AlGaInP (c множественными квантовыми ямами и без), AlGaN с множественными квантовыми ямами и монокристаллического GaP при протекании прямого тока определены диапазоны напряжений отсечки. Представлена методика, которая может быть использована для анализа работы любых приборов, принцип работы которых основан на использовании <jats:italic>p</jats:italic><jats:italic>-</jats:italic><jats:italic>n</jats:italic>-перехода и барьера Шоттки.</jats:p>