Abstract
<jats:p>Спроектированы конструкции и изготовлены образцы планарного и вертикального типа с применением разработанных технологических маршрутов, обеспечившие возможность проведения исследований высокоомных аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5 в диапазоне напряженностей электрического поля от 101 до 5 · 105 В/см. С использованием данных образцов определено, что слои Ge2Sb2Te5 обладают тремя различными диапазонами изменения плотности тока от напряженности электрического поля. При достижении пороговой напряженности электрического поля происходит электрическое переключение тонкой пленки Ge2Sb2Te5 из высокоомного в низкоомное состояние. Установлено, что значение пороговой напряженности электрического поля составляет порядка 2 · 105 В/см, а точность его определения во многом зависит от используемой геометрии образца и методики измерения. Показано, что процесс кристалли- зации, инициируемый внешним температурным воздействием, протекает по-разному в зависимости от используемой геометрии образца. Для планарной структуры, обладающей большим межэлектродным расстоянием, фазовый переход более плавный и занимает более широкий интервал температур, в отличие от вертикальной структуры, где кристаллизация происходит значительно быстрее.</jats:p>