Abstract
<jats:p>Изучены свойства анодно-окисленных слоёв кремния, имплантированного ионами CO+ с энергией 90 кэВ в зависимости от дозы ионов в диапазоне от 2,5 х 1015 до 3 х 1016 см-2. После имплантации ионов образцы были отожжены при температуре 700 °C в течение 1 ч в атмосфере паров N2. Анализ окисленных слоёв проводился с помощью спектральной эллипсометрии, атомно-силовой микроскопии и инфракрасной спектроскопии. Коэффициент преломления окисленных слоёв превышал его значение в термически выращенном SiO2 и уменьшался от 1,58 до 1,52 с ростом дозы ионов СО+ от 2,5 х 1015 до 1 х 1016 см-2. По мере роста дозы ионов CO+ в плёнках анодного окисла наблюдалось увеличение инфракрасного поглощения на молекулах CO2. Дозовая зависимость коэффициента преломления анодно-окисленных слоёв обсуждается с точки зрения формирования микропустот в оксиде кремния при испарении молекул СО2.</jats:p> <jats:p>The properties of the anodic oxidized Si layers implanted with CO+ ions at an energy of 90 keV to were studied as a function of ion dose ranging from 2.5x1015 to 3x1016 cm-2. After the implantation, the samples were annealed at 700 oC for 1 hour in the N2 ambient. Spectral ellipsometry, atomic force microscopy and Fourier transform infrared spectroscopy were employed to study the oxidized layers. The refractive index of oxidized layers was higher than that in the thermally oxidized SiO2 and dropped from 1.58 to 1.52 as the ion dose increased from 2.5x1015 to 1x1016 cm-2. As the ion dose increased, the absorption band corresponding to the optical absorption by CO2 molecules grew. The refractive index of the anodic oxidized layers as a function of ion dose is discussed in the frame of the microcavity formation in the SiO2 as result of CO2 molecules evaporation.</jats:p>